[ad_1]
اکنون تولیدکنندگان حوزه نیمهرسانا درحال تحکیم فرایندهای تشکیل ۳ نانومتری خود می باشند و از سویی دیگر، برای گسترش تراشههای ۲ نانومتری با یکدیگر رقابت میکنند. اکنون «پت گلسینگر»، مدیرعامل اینتل مدعی شده که فرایند 18A آینده این شرکت (در اصل ۱.۸ نانومتر) یک سال سریعتر از تراشههای ۲ نانومتری TSMC اراعه خواهد شد، و کارکرد بهتری نسبت به رقیب خواهد داشت. TSMC اخیراً حرف های می بود که تصمیم دارد تشکیل زیاد تراشههای ۲ نانومتری خود را از سال ۲۰۲۵ اغاز کند.
گلسینگر که سال ۲۰۲۱ مدیرعامل اینتل شد، سخن بگوییدهای خود با هفتهنامه بارونز (Barron’s) درمورد رقابت با TSMC را اینگونه اغاز میکند:
«هر زمان رقیبتان در رابطه شما سخن بگویید میکند، تایید میکند که تا این مرحله به درستی پیش رفتهاید. دو سال پیش، هیچکس حتی نمیاو گفت که ما در حال رقابت هستیم.»
سخن بگوییدهای مدیرعامل اینتل درمورد رقابت با TSMC
او در ادامه میگوید:
«ما با فناوری 18A دو نوآوری بزرگ را معارفه کردهایم: یک ترانزیستور تازه و یک سیستم توان بکساید (Backside) تازه. فکر میکنم همه ترانزیستور TSMC N2 را در روبه رو 18A ما قرار خواهند داد. تا این مدت اشکار نیست که کدام یک بهطور چشمگیری بهتر از فرد دیگر خواهد می بود.
اما در رابطه سیستم توان بکساید، همه معتقد می باشند که اینتل برنده شده است. ما سالها جلوتر هستیم. این سیستم بازده منطقهای بهتری برای سیلیکون اراعه میکند که به معنی هزینه کمتر است. این چنین این سیستم انتقال قوت بهتری اراعه میکند که این کار نیز بهمعنی کارکرد بهتر است.»
او سپس بهگفتن نتیجهگیری افزود:
«به این علت من یک ترانزیستور خوب و یک سیستم قوترسانی عالی دارم. فکر میکنم مقداری جلوتر از N2، فناوری نسل بعدی TSMC هستم. و فکر میکنم TSMC یک فناوری زیاد پرهزینه اراعه کرده است که اینتل بهراحتی از نظر هزینه زیر آن قرار میگیرد تا حاشیه سود بیشتری داشته باشد.»

مدیرعامل اینتل در قسمت فرد دیگر از سخن بگوییدهای خود میگوید که مقصد این شرکت اراعه یک جانشین برای TSMC است که هماکنون بر بازار نیمههادی جهانی تسلط دارد. در واقع پیروزی اینتل برای ایالات متحده نیز پیامدهای مهمی را بههمراه خواهد داشت، چون تنها شرکت آمریکایی است که توانایی و ظرفیت تشکیل زیاد تراشهها را دارد.
TSMC بهگفتن رهبر بازار، تراشههای ۳ نانومتری پردازندههای آیفون ۱۵ و M3 اپل را فراهم میکند. این شرکت ادعا کرده که گره ۳ نانومتری بهینهسازیشده آینده آن به نام N3P، از نظر کارکرد قدرتی قابل قیاس با 18A اینتل اراعه خواهد کرد. غول تایوانی انتظار دارد N3P را در نیمه دوم سال ۲۰۲۴ به تشکیل زیاد رساند.
[ad_2]
منبع